LED Insideout

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上各禮拜六突然自己ㄧ個人去聽鋼琴演奏會 了了我沒去過的遺憾
我算是很奇怪的人 因為喜歡聽古典音樂的人應該很少
有ㄧ天我的高中同學坐在我的車上
突然聽到我聽古典音樂電台
冷不防的跟我說
PETER 你也會聽這個嗎？
這是我的工研院主管才在聽的ㄝ  
  ==
 我想大家的對外接受還不夠的原因吧
叔叔是有練過的！
不過 我們的教育是不是可能出了ㄧ些問題
因為去聽古典鋼琴的人
整個地方不超過20位
這些都比周杰倫還有名ㄝ
我不之該慶幸還是悲傷！
讓我想起台灣的運動為何也起不來的原因
我還是很慶幸多年前能在奧克拉何馬大學讀書
多虧了我的朋友JESSE洪建君的鼓勵我就讀
讓我那時後的視野開拓了起來
沈竟在七萬人的FOOTBALL球場裡面在幫我的學校加油
那是沒有人在台灣能感受到的感覺！
那個時候起 我就ㄧ直在尋找不曾經是我的世界的世界
多麼美好！！！

 
來這個地方洽公展覽
我本來不抱著太大希望這個地方會好到哪裡（因該都是穿袍子吧） 
想說宗教上面不太ㄧ樣 回教國家
所以我因該要警慎言行的 以免處碰到宗教敏感 
又該怎麼面對那些我沒謀面的客人呢
跟客戶認識也很久了 他的英文不流利 不過說到價格倒是都是ㄧ樣的個中好手
就KEY數字跟我討價還價的情況吧！這樣也就夠了！
所以第一次見面印象
我要用比較涵蓄ㄧ點的像是亞洲的傳統來面對 （裝作乖乖的RD或者讀書人等等）
還是流露出美國式的作風 間雜著台灣的熱情（我看起來好像很土 ㄝ, 不過我的興趣大家也猜不出來的
因為我可以聽陳雷的歌到古典音樂）呵呵呵！
不過土耳其那些人又怎麼想我們的呢？
全然教科書上找不到答案！！
突然接我飛機的客戶 用他們的傳統臉頰對臉頰的方式跟我打招呼！
我也沒問為何 
幾天的想處
讓我發現土耳其的人個性文化等等
可能是BUDY BUDY的關係
還滿像台灣人的
所以我想可以說是歐洲的台灣人ㄅㄚ！！！
說ㄌㄜ你也不會相信的！
有機會去看看吧！！！！！！

Advent Solar® Reaches Agreements to Ship 250MW of Ventura™ Solar Modules with European Partners

 

經濟日報 特派記者李立達

2008-08-14

  

 裸晶層：「量子井、多量子井」提升「光轉效率」
　雖然本文主要在談論LED封裝對光通量的強化，但在此也不得不先說明更深層核心的裸晶部分，畢竟裸晶結構的改善也能使光通量大幅提升。
　首先是強化光轉效率，這也是最根源之道，現有LED的每瓦用電中，僅有15％∼20％被轉化成光能，其餘都被轉化成熱能並消散掉（廢熱），而提升此一轉換效率的重點就在p-n接面（p-n junction）上，p-n接面是LED主要的發光發熱位置，透過p-n接面的結構設計改變可提升轉化效率。
▲量子井（Quantum Well；QW）的結構圖。（郭長祐製圖）
　關於此，目前多是在p-n接面上開鑿量子井（Quantum Well；QW），以此來提升用電轉換成光能的比例，更進一步的也將朝更多的開鑿數來努力，即是多量子井（Multiple Quantum Well；MQW）技術。
■裸晶層：「換料改構、光透光折」拉高「出光效率」
　如果光轉效率難再要求，進一步的就必須從出光效率的層面下手，此層面的作法相當多，依據不同的化合材料也有不同，目前HB LED較常使用的兩種化合材料是AlGaInP及GaN/InGaN，前者用來產生高亮度的橘紅、橙、黃、綠光，後者GaN用來產生綠、翠綠、藍光，以及用InGaN產生近紫外線、藍綠、藍光。
　至於作法有哪些？這包括改變實體幾何結構（橫向轉成垂直）、換用基板（substrate，也稱：襯底）的材料、加入新的材料層、改變材料層的接合方式、不同的材料表面處理等。不過，無論如何變化，大體都不脫兩個要則：一、降低遮蔽、增加光透率。二、強化光折射、反射的利用率。
　舉例來說，過去AlGaInP的LED，其基板所用的材料為GaAs，然黑色表面的GaAs使p-n接面散發出的光有一半被遮擋吸收，造成光能的浪費，因此改用透明的GaP材料來做基板。又如日本日亞化學工業（Nichia）在GaN的LED中，將p型電極（p type）部分做成網紋狀（Mesh Pattern），以此來增加p極的透明度，減少光阻礙同時提升光透量。
　至於增加折反射上，在AlGaInP的結構中增加一層DBR（Distributed Bragg Reflector）反射層，將另一邊的光源折向同一邊。GaN方面則將基板材料換成藍寶石（Sapphire，Al2O3，三氧化二鋁）來增加反射，同時將基板表面設計成凹凸紋狀，藉此增加光反射後的散射角度，進而使取光率提升。或如德國歐司朗（OSRAM）使用SiC材料的基板，並將基板設計成斜面，也有助於增加反射，或加入銀質、鋁質的金屬鏡射層。
 
▲亮度提升的LED已經跨足到公眾場合的號誌應用，此為國內工地外圍的交通方向指示燈，即是用HB LED所組構成。（郭長祐攝影）
　附註：AlGaInP（磷化鋁鎵銦）也稱為「四元發光材料」，即是以Al、Ga、In、P四種元素化合而成。
　附註：在一般的圖形結構解說時，p-n接面也稱為「發光層，emitting layer或active layer、active region」。
　附註：除了減少光遮、增加反射外，有時換用不同技術的用意是在於規避其他業者已申請的專利。
▲各種AlGaInP LED的發光效能強化法，由左至右為技術先進度的差別，最左為最基礎標準的LED幾何結構，接著開始加入DBR（Distributed Bragg Reflector）反射層，再來是有DBR後再加入電流侷限（Current Blocking）技術，而最右為晶元光電的OMA（Omni-directional Mirror Adherence）全方位鏡面接合技術，該技術也將基板材質從GaAs換成Si。（圖片來源：晶元光電）
 
▲對GaN、InGaN化合材料的LED而言，也有其自有的一套製程結構光通強化法，以德國OSRAM來說，1999年還在使用標準結構，2002年就進展到ATON結構，2003年換成更佳的NOTA結構，2005年則是ThinGaN結構。（圖片來源：晶元光電）
■封裝層：抗老化黃光、透光率保衛戰
　從裸晶層面努力增加光亮後，接著就正式從封裝層面接手，務使光通維持最高、光衰減至最少。
　要有高的流明保持率（Transmittance，透光率、穿透率，以百分比單位表示），第一步是封裝材質，過去LED最常用的是環氧樹脂（epoxy），不過環氧樹脂老化後會逐漸變黃（因「苯環」成份），進而影響光亮顏色，尤其波長愈低時老化愈快，特別是部分WLED使用近紫外線（Near ultraviolet）發光，與其他可見光相比其波長又更低，老化更快。
　新的提案是用矽樹脂（silicone）換替環氧樹脂，例如美國Lumileds公司的Luxeon系列LED即是改採矽封膠。
　使用矽膠的不只是Lumileds Luxeon，其他業者也都有矽膠方案，如通用電氣．東芝（GE Toshiba）公司的InvisiSi1，東麗．道康寧（Dow Coring Toray）的SR 7010等也都是LED的矽膠封裝方案。
　矽膠除了對低波長有較佳的抗受性、較不易老化外，矽膠阻隔近紫外線使其不外洩也是對人體健康的一種保護，此外矽膠的光透率、折射率、耐熱性都很理想，GE Toshiba的InvisiSi1具有高達1.5∼1.53的折射率，波長範疇在350nm∼800nm間的光透率達95％，且波長低至300nm時仍有75％∼80％的光透，或者與折射率進行取捨，將折射率降至1.41，如此即便是300nm波長也能維持95％的光透性。同樣的，Dow Coring Toray的SR 7010在405nm波長以上時光透率達99％，且硬化處理後折射率亦有1.51，另外耐熱上也都能達180℃∼200℃的水準，關於熱的問題我們在此暫不討論。
　此外，也有業者提出所謂的無樹脂封裝，即是用玻璃來作為外套保護，或如日本京瓷（Kyocera）提出的陶瓷封裝，都是為了抗老化而提出，其中陶瓷也有較佳的耐熱效果。
▲Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED（InGaN）的橫切面圖，從圖中可知Luxeon用矽封裝進行裸晶防護，而非傳統的環氧樹脂。（圖片來源：Lumileds.com）
 
▲隨著使用時間的增長，LED的光通量也會逐漸降低，圖中是兩個LED的壽命光通量曲線比較，下方藍色線為一般5mm的WLED指示燈，上方紅色線則是高功率LED照明燈。（圖片來源：Lumileds.com）
　附註：另一個加速環氧樹脂老化變黃的因素來自溫度，高溫會加速老化。
■封裝層：透鏡的透射　反射杯的反射、折射
　前述的封裝主要在於保護LED裸晶，並在保護之餘盡可能讓光熱忠實向外傳遞，接下來還是在封裝層面，不過不再是內覆的Resin部分，而是外蓋的Lens部分。
　在用膠封裝完後，依據LED的不同用途會有各種不同的接續作法，例如做成一個一個的獨立封裝元件，過去最典型的單顆LED指示燈即是如此，另一種則是將多個LED併成一個整體性元件，如七段顯示器、點陣型顯示器等。此外焊接腳位方面也有兩種區分，即穿孔技術（Through-Hole Technology；THT）及表面黏著技術（Surface-Mount Technology；SMT）。
　在此暫且不談論群集性的七段顯示器、點陣型顯示器，而就逐一獨立、分離、離散性的封裝來說，也要因應不同的應用而有不同的封裝外觀，若是與過往LED相同是做為穿孔性焊接的狀態指示燈則只要採行燈泡（Lamp）型態的封裝（今日也多俗稱成「炮彈型」），即便確定是此型也還有透鏡型態（Lens Type）的區別，如典型Lamp、卵橢圓Oval、超卵橢圓Super Oval、平直Flat等。而若是表面黏著型，也有頂視Top View、邊視Side View、圓頂Dome等。
　為何要有各種不同的透鏡外型？其實也有各自的應用需求，就一般而言，Lamp用來做指示燈號、Oval用於戶外標示或號誌、Top View用來做直落式的背光、Flat與Side View配合導光板（Guide Plate：LGP）做側邊入光式的背光、Dome做為小型照明燈泡、小型閃光燈等。
　外型不同、應用不同，發光的可視角度（View Angle）也就不同，此部分也就再次考驗封裝設計，運用不同的設計方式，可以獲得不同的發光角度、光強度、光通量，此方面常見的作法有四：中軸透鏡Axial lens、平直透鏡Flat lens、反射杯Reflective cup、島塊反射杯Reflective cup by island。
　一般的Lamp用的即是中軸透鏡法，Dome及Oval/Super Oval等也類似，但Oval/Super Oval的光亮比Lamp更集中在軸向的小角度內。而Flat則是用平直透鏡法，好處是光視角比中軸透鏡法更大，但缺點是光通量降低、光強度減弱。至於Top View、Side View等則多用反射杯或島塊反射杯，此作法是在封裝內加入反射鏡，對部分發散角度的光束進行反射、折射等收斂動作，使角度與光強度能取得平衡。
▲日亞化學工業（Nichia）的5mm白光LED，圖中可見炮彈（Lamp）型封裝內部也使用碗狀的反射杯（Reflective cup）設計來強化光照角度及強度。（圖片來源：Ledstyles.de）
　就技術難易來說，只用上透鏡的Axial lens、Flat lens確實較為簡易，只要考慮透射與光束發散性，相對的有Reflective cup就不同了，原有的透射、發散一樣要考慮，還要追加考慮反射、折射以及光束收斂，確實更加複雜。
　還有，我們還沒討論材質，透鏡部分除了可持續用原有的覆膠材質外也可以改用其他材質，因為透鏡已較為講究光透而較不講究裸晶防護，如此還可採行塑膠（Plastic）、壓克力（Acrylic）、玻璃（Glass）、聚碳酸酯（Polycarbonate）等，且如之前所述，光透性與波長有關，不同波長光透度不同，再加上有不同的材質可選擇，甚至要為透鏡上色，好增加光色的對比度，或視應用場合的裝飾效果（玩具、耶誕樹），還有前面的透鏡、反射杯等幾何設計等，以上種種構成了LED光通上的第四道課題。
　附註：今日有的LED也在Lamp型封裝內使用反射杯技術。
■結尾
　最後，HB LED被人強調為「綠色照明」，言下之意「環保」是其很大的訴求點，所以不僅要無鉛（Pb Free）封裝，還要合乎今日歐洲RoHS（Restriction of Hazardous Substances Directive，限用危害物質指令）的法令規範，無論封裝與LED整體都不能含有汞、鎘、六價鉻（hexavalent chromium）、多溴聯苯（PolyBrominated Biphenyls；PBB）、多溴聯苯醚（PolyBrominated Diphenyl Ether；PBDE）等環境有害物，此外WEEE（Waste Electrical and Electronic Equipment directive，廢棄電子電機設備指令）等其他相關法規也必須遵守。
　當然！前面我們也已經約略提到封裝物必須能封阻與抗受低波長、紫外光，還要有一定的硬度來抗受機械外力，以及耐熱性，此外絕緣、抗靜電、抗濕也都必須注意。
　更重要的是，無論您要不要高亮度，都必須盡可能將光亮導出，因為，若不能忠實導出光能，光能在封裝層內被吸收，就會轉化成熱能，為封裝上的散熱問題又添一項顧慮因素，事實上LED的熱若不能順利排解與降低，成為熱負荷，反過來一樣要傷害LED本體，包括亮度也會受到影響，因此，達到最佳、最理想的光通，是封裝設計必然要重視的一課！
▲Lambda Research Corporation的OSLO是專門用來設計透鏡的軟體，圖為OSLO EDU Edition（教育版）Revision 6.4.1，且已開啟「透鏡資料庫」中的某一設計範本：8mm、0.5 NA的雷射二極體準直儀，圖右下部分為其光射線的軌跡分析。

 單只談「LCD的驅動IC」其實是一個範疇相當廣的議題，LCD的驅動類型大體可區分成TN（Twisted Nematic）、STN（Super-Twisted Nematic）（附註1）、以及TFT（Thin-Film Transistors）等3類，其中TN LCD多半使用在數字錶、計算機等簡單的數字顯示，而TFT則小至數位相機的觀景窗，大至數十英吋的液晶平面電視都有使用。 廣告 
 所以，數字錶也需要LCD驅動IC，大尺寸液晶顯示也需要驅動IC，然不同類型的LCD、不同尺寸的LCD卻必須搭配不同的驅動IC，沒有一種LCD驅動IC可以合乎各種類型、各種尺寸的驅動需求，因此在談論LCD驅動IC時必須有更明確、更具體的範疇定義，才能夠完整說明與討論。
 當然，有關TN、STN之類的LCD驅動IC其技術已相當成熟，技術發展與市場成長都達一定程度，因此已少有人關注，也因為技術的成熟，使大陸的IC設計業者也逐步跨入此領域，如此也迫使日本、南韓、台灣的驅動IC設計業者必須朝更高技術性的LCD驅動IC發展，從TN、STN轉向TFT，從小吋數轉向大畫吋。
圖說：TFT LCD驅動IC控制程序示意圖。（製圖：郭長祐）
 另外一個加速台灣驅動IC提升的動力，是來自液晶面板廠。由於台灣已經成為全球液晶面板的組裝、製造重鎮，如果LCD驅動IC仍要持續倚賴進口，將難以掌握製造成本、製造時程，所以國內的面板大廠也都積極於LCD驅動IC的國產化，例如奇美電子（CHIMEI）即轉投資奇景光電（Himax），由奇景光電研製LCD驅動IC，以大宗供應給奇美電子。
 因此，本文以下將以大尺寸、TFT類的LCD驅動IC為主，只有在特有情況下才會談論TN、STN類的驅動IC，同樣的也在特有情況下才會談論中小尺寸的驅動IC。
 驅動IC類型
 首先，LCD驅動IC並非只有1顆，而是由2顆以上的晶片所構成，這包括源極驅動器（Source Driver）晶片、閘級驅動器（Gate Driver）晶片、以及時序控制器（Timing Controller；TCON或T-CON）晶片等（附註2），此外也可能需要運算放大器（Operational Amplifier；OP AMP）或緩衝器（Buffer）的搭配。有時源極驅動器還區分成數位型或類比型，不過多數業者都採行數位型，僅少數業者採行類比型（附註3）。
 要注意的是，源極驅動器有時也稱為資料驅動器（Data Driver），而閘級驅動器則稱為掃瞄驅動器（Scan Driver）。
 
圖說：NS公司的TFT LCD驅動IC：FPD33684，該驅動晶片強調低EMI、低功耗並支援RSDS介面，適合用於筆記型電腦或桌上型液晶顯示器上。（www.national.com）
 輸入介面
 LCD驅動IC必須先接收來自LCD控制IC的畫面訊號，之後才能透過數位轉類比的程序來進行驅動，而這個接收的輸入介面仍在持續演化中。
 目前最常見的介面是RSDS（Reduced Swing Differential Signaling），這是美國國家半導體（National Semiconductor；NS，簡稱：國半）以LVDS（Low-Voltage Differential Signaling，低電壓差動信號）介面為基礎所定義出的介面，此介面的優點在於低電磁干擾（EMI）、低功耗，並盡可能保有傳輸效能與畫面解析度。RSDS原本是NS自有的技術，不過之後則開放使用，今日多數的時序控制器晶片、源極驅動器晶片都採行RSDS介面。此外也有人支援最傳統的TTL（Transistor-Transistor Logic）介面。
 在RSDS後NS又提出一種新的介面，稱為PPDS（Point to Point Differential Signaling），新介面的優點在於支援更高的畫面解析度、更高的傳輸（運作）頻率，同時也能縮減傳輸的線路數目，不僅能抑止EMI，同時節省電路板佈線面積及成本。另外還也一種迷你型的LVDS，稱為mini-LVDS，也是因應高畫吋趨勢而有的新技術提案，mini-LVDS也有助於傳輸線路數的縮減，mini-LVDS往後也可能採行點對點作法，如此將稱為PPmL（Point to Point mini-LVDS）。
 
圖說：在手機用的TFT LCD驅動器晶片上NEC有其獨到的介面傳輸技術：Mobile MCADS（Mobile Current Mode Advanced Differential Signaling），其技術優點在於縮減線路用數與降低EMI雜訊，圖中粉紅色區塊即是NEC電子的LCD驅動器晶片的位置。（www.necel.com）
電壓、頻率、色階、通道數
 在驅動電壓、驅動的掃瞄頻率、驅動的色階、驅動的通道數等方面，則都是朝更大的數字發展，其中驅動電壓愈高愈能改善視角、對比方面的表現，電壓高則有機會擁有更廣的視角（可視角度）、更高的顯示對比。而驅動頻率高則可以支援更快速的畫面更新率。
 至於驅動的色階也是從每原色6-bit（64階）、8-bit（256階）提升到10-bit（1,024階）、12-bit，未來甚至不排除支援到16-bit，畢竟HDMI 1.3版已經言明支援48-bit的色深，如此三原色的每個原色可以配分到16-bit的階度。
 而通道數（Channel；ch）方面，也是隨著大尺寸液晶電視的需求而增加，從以往的每顆（源極）驅動器晶片具有300多、400多個通道，增加到現在的600多、700多個通道，每顆驅動器晶片的通道數愈多，對應用設計者而言，就能夠以較少的晶片用數而達到相同的驅動效果。
 舉例來說，在1920 x 1280的解析度中，若1顆資料驅動器晶片僅具有400多個驅動通道，則需要5顆才能達到1920的驅動，相對的若是使用單顆就具有700多個驅動通道的晶片，則只要3顆就可以達到相同的驅動設計要求。源極驅動是如此，閘極驅動也類似，閘極驅動器的通道數一般多在200多、300多個通道，如今也逐漸往400邁進。
 
圖說：南韓Samsung將LCD Driver IC（液晶驅動器晶片）簡稱為LDI，LDI屬於DDI（Display Driver IC）下的一塊，此外還有STN與TFT之分，STN又有字元與圖形之分，TFT亦有OA（辦公室自動化）與A/V（視聽）之分。（www.Samsung.com）
特有的驅動功效
 除上述外，LCD驅動IC還可運用其驅動控制手法來提升液晶畫質，由於傳統CRT（陰極射線管，俗稱：映像管）的顯示是用電子光束打擊螢光質，光束移位後螢光質的發光效應就開始消退，相對的LCD的顯示是持續持留性的，因此LCD的動態顯示效果不如傳統CRT，為了達到逼近於CRT的顯示特性，因此LCD驅動IC改變了驅動方式，也採行類似電子光束的間歇脈衝方式（Impulse Type）來驅動，以此改善動態畫質。
 另外LCD有液晶反應較慢的殘影（附註4）問題，為了減少殘影對畫質的影響，LCD驅動IC也會提供「插黑，插入全黑色的影像」的驅動控制功效，即是在替換成下一個畫面前，會先停止整個液晶畫面的驅動，使液晶呈現黑色，之後再換替成下一張畫面，當然，這個黑色畫面的時間很短暫，僅十數毫秒，但卻具有消除殘影的效果。為了實現插黑機制，與TFT LCD驅動器晶片相搭配運作的時序控制器也必須能共同配合才行。
 要注意的是，由LCD驅動IC進行插黑控制，主要是使用CCFL背光源，而今有許多液晶電視、液晶顯示器開始改採LED背光源，由於LED的點亮、熄滅速度反應極快，不像CCFL的點亮、熄滅較慢，因此LED背光也可用短時間內熄滅所有背光LED來達到插黑效果，這時就不用透過LCD驅動IC來進行插黑。
 附帶一提的是，此一插黑若是透過軟體或影像資料傳輸的方式來實現，那麼將會增加視訊傳輸的頻寬耗佔，為了避免此一耗佔就必須在TFT LCD驅動器晶片中，直接內建插黑的控制功效，TFT LCD驅動器晶片的設計業者對此問題，也增加了晶片的控制接腳（或稱：引腳），例如增加了BWSEL（Black White Select）的信號，將此接腳輸入Hi（High）信號即可對TFT LCD進行插黑。
 當然，改善殘影、殘像的方式不是只有一種，也有試圖從其他層面來解決的構想。例如有業者開發OCB高速液晶材料，使液晶的扭轉操作更為快速，或者也有業者認為，改變液晶的操作維度也可加速扭轉的角度變化，此稱為垂直扭轉，垂直扭轉雖然可以達到更快速的扭轉，但也因為扭轉角度的減少使液晶的遮光能力變差，結果很可能是：液晶轉變的速度變快了，但全黑時的黑度卻也更差了，因為液晶扭轉至極致時，仍會有光從背光穿透到前端。
 
圖說：日本瑞薩（Renesas）的Gate Driver for TFT（TFT LCD的閘極驅動器晶片）－HD66774R，該晶片具有240個輸出，使用COG封裝（尺寸10.60 x 2.80公釐），適合用在QCIF規格尺寸的手機或PDA上。（www.america.renesas.com）
 驅動IC的封裝
 有別於一般晶片的封裝，TFT LCD驅動晶片有其獨特的封裝方式，一般的晶片多半使用QFP、BGA之類的封裝，而TFT LCD驅動晶片則不然，用的是捲帶式晶片載體封裝（Tape Carrier Package；TCP）封裝、晶粒軟膜接合（Chip On Film；COF）封裝、以及晶粒玻璃接和（Chip On Glass；COG）封裝。
 也因為封裝方式的特殊，因此其封裝測試（簡稱：封測）業者也與一般晶片封裝不盡相同，特別是TCP封裝，國內的主要業者有頎邦、南茂、矽品、華新先進、飛信、福葆等等，而原有封測大廠日月光（ASE）則不在此列。另外與封裝息息相關的金凸塊（Gold Bump）在台灣也有業者提供，如慎立、頎邦、福葆、米輯、攸立、利弘等等。
 驅動器晶片內的SRAM
 同樣是為了節省影像傳輸介面的頻寬耗佔，因此TFT LCD驅動器晶片內多半會內建SRAM記憶體，此一記憶體用來暫存已經傳送到驅動器晶片，但尚未要透過驅動器晶片進行輸出的影像資料。由於TFT LCD的畫吋愈來愈高、解析度愈來愈高、畫面更新率、色深也都在提升，很明顯的，驅動器內的SRAM記憶體只會不斷的加大容量，好因應愈來愈大的影像資料傳輸量。
 不過，內建SRAM容量愈來愈大的副作用是：(1)晶片產製的成本要增加，因為更多的SRAM記憶體容量就意味著更大的裸晶面積。(2)晶片運作時的用電更兇，此有違今日不斷強調的節能與綠色運算等理念。所以也有人提出不能一味地增加暫存記憶體的容量，因而提出暫存記憶體的壓縮技術，如此可運用較少的暫存記憶體而達到相近的顯示效果。
圖說：日本瑞薩（Renesas）的Soruce Driver for TFT（TFT LCD的源極驅動器晶片）：HD66778，有的源級驅動器晶片會內建RAM記憶體，但此款晶片並未具備，此圖勢將HD66778用於QVGA規格尺寸的驅動上，此晶片適合用在PDA、相片印表機、多媒體顯示播放器等應用上。（www.america.renesas.com）
 附註1：STN若依據單色與彩色來區分則還可以稱為MSTN與CSTN，其中「M」即為「Mono，單色」之意，相對的「C」即為「Color，彩色」之意，另也有強調更細膩畫質的DSTN，D為「Double Layer，雙層」之意，不過TFT出現後近乎全面取代DSTN。
 附註2：時序控制器（TCON）不見得以獨立、分立的離散性型態進行晶片封裝，有時會與TFT LCD驅動器晶片一同整合、封裝，如此即是TFT LCD驅動器晶片整合、內建了TCON的功效。
 附註3：類比式驅動的業者主要是日本恩益禧（NEC），然台灣的聯詠科技（Novatek）在中型尺寸上也有提供類比式的源極驅動器。
 附註4：Ghost Shadow，也有人稱為「鬼影」或「拖影」，這是因為液晶扭轉變化慢所造成的短暫影像殘留，在動態影像時尤為明顯。

 受惠於大陸手機市場隨著奧運來臨回溫、加上中國TD-SCDMA預計於年底營運，以及後奧運的緊接而來的消費性電子旺季，可望在下半年為近期營運不振的觸控面板廠商注入強心針。 觸控面板上半年業績表現差強人意，今年上半年較去年同期相比僅成長一至兩成左右，不如去年成長逾五成的驚人爆發力。 業者表示，依據下游廠商對景氣的看法，預估第四季與第三季相較，將會是相對樂觀。業者指出，上半年大陸白牌手機廠商持續清除庫存，因此第三季起，大陸手機手廠商的庫存水位已大幅降低，預估近期可望陸續接獲新訂單，挹注下半年營收。 此外，今年第二季觸控面板廠商的營運低點落於6月，但預估6至8月連續三個月，面板廠商每月營收約有10％左右的成長力道。 觸控面板廠商表示，第三季表現和第四季相比，相對保守與模糊，但目前在大陸白牌手機方面，已陸續接獲兩個星期內出貨的急單。至於9月訂單，還需看下游手機廠商，尤其是大陸市場的手機需求而定。

 受惠於大陸手機市場隨著奧運來臨回溫、加上中國TD-SCDMA預計於年底營運，以及後奧運的緊接而來的消費性電子旺季，可望在下半年為近期營運不振的觸控面板廠商注入強心針。 觸控面板上半年業績表現差強人意，今年上半年較去年同期相比僅成長一至兩成左右，不如去年成長逾五成的驚人爆發力。 業者表示，依據下游廠商對景氣的看法，預估第四季與第三季相較，將會是相對樂觀。業者指出，上半年大陸白牌手機廠商持續清除庫存，因此第三季起，大陸手機手廠商的庫存水位已大幅降低，預估近期可望陸續接獲新訂單，挹注下半年營收。 此外，今年第二季觸控面板廠商的營運低點落於6月，但預估6至8月連續三個月，面板廠商每月營收約有10％左右的成長力道。 觸控面板廠商表示，第三季表現和第四季相比，相對保守與模糊，但目前在大陸白牌手機方面，已陸續接獲兩個星期內出貨的急單。至於9月訂單，還需看下游手機廠商，尤其是大陸市場的手機需求而定。